4 - Vss

3 - INA+

2 - INA-

1 - OUTA

MAX44263

*** MACROMODEL FOR MAX44263 *** * ---------------------------- * Revision 1. 08/2012 * ---------------------------- ******************************************* .subckt MAX44263 OUTA INA- INA+ VSS INB+ INB- OUTB VDD X_1 OUTA VSS INA+ INA- VDD OY69 X_2 OUTB VSS INB+ INB- VDD OY69 .ends ******************************************* .subckt OY69 IN+ VSS IN- OUT VDD X_1 OUT VSS IN+ IN- VDD opamp .ends ******************************************* .SUBCKT opamp 201 18 17 15 10 *************** *INPUT STAGE VS1 10 11 0V GBIAS 11 12 304 100 179.25U M1 13 16 12 11 MOSFET M2 14 15 12 11 MOSFET DBIAS 18 12 DY EOS 17 16 VALUE={-10u+V(10)*(-9u)} RD1 13 18 1K RD2 14 18 1K C1 13 14 2P CIN1 16 100 10P CIN2 15 100 10P DIN1 16 11 DA DIN2 18 16 DA DIN3 15 11 DA DIN4 18 15 DA FSUP 18 10 VS1 1 E103 103 18 10 18 1 ************** *INPUT BIAS CURRENT IBIAS1 18 17 -1P IBIAS2 18 15 4.98P GBIAS1 17 18 10 18 1p GBIAS2 15 18 10 18 1p RID 15 16 1000G ************** ************************************************** *GAIN STAGE GA 25 100 14 13 2.2M RO1 25 100 2.95k GB 26 100 25 100 110M RO2 26 100 1K EF 27 100 26 100 1 CC 25 27 70P EF2 29 100 28 100 1 GC 100 28 26 100 142.16M RO3 28 100 2.7K CC2 25 29 50p RO4 28 30 20 GCMPS 100 25 40 100 393.5U ************** *CURRENT LIMIT DP3 26 38 DY EP3 38 100 10 18 185M DP4 39 26 DY EP4 100 39 10 18 185M ************** *INTERNAL GND EG1 100 18 10 18 0.5 ************** *VOLTAGE LIMITING VS2 30 31 0V ***** DP1 30 32 DY HP1 34 32 VS2 17.72 EP1 34 36 10 18 0.5 VOFF1 100 36 12M ***** DP2 33 30 DY HP2 35 33 VS2 14.43 EP2 37 35 10 18 0.5 VOFF2 37 100 12.8M *************** *CMRR RRR 40 100 1 GCMR 40 100 12 18 400u GPSR 100 40 10 18 300u *************** *SUPPLY CURRENT ISUP 10 18 -600u GSUP 10 18 10 18 -40u *************** *FOR SHUTDOWN MEN1 171 172 31 10 MOSFETP MEN2 171 173 31 18 MOSFETN EEN3 170 172 304 100 10 EEN4 173 170 304 100 10 RSHUNT 170 171 10MEG VIS5 171 400 0V R171 171 18 100k D401 400 401 DY D402 402 400 DY D403 201 401 DY D404 402 201 DY I400 401 402 50m Foo 400 18 VIS5 -0.88 ******************************** RSH 103 18 500MEG ISH 18 103 10NA DSH 103 10 DY CSH 103 18 10P ************** EEN2 300 100 103 18 1 REN 300 301 10K VEN 301 302 0V EHYST 303 302 POLY(2) 10 18 304 100 0 0 0 0 0.4 EEN1 303 100 10 100 0.7 ************** FEN1 100 304 VEN 12 CEN 304 100 1P DEN1 100 304 DY DEN2 304 305 DY VLIM1 305 100 1V ************************************************** .MODEL DA D(IS=100E-14 RS=0.5k) .MODEL MOSFET PMOS(VTO=-0.2 KP=29.3E-3 KF=26E-25 AF=0.8) .MODEL DX D(IS=100E-14) .MODEL DY D(IS=100E-14 N=10M) .MODEL MOSFETP PMOS(VTO=-5.0 KP=88E-3 GAMMA=0.01) .MODEL MOSFETN NMOS(VTO=5 KP=88E-3 GAMMA=0.01) ************************************************** .ENDS

subcircuit

Active